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モノウエハー

チョクラルスキー(CZ)プロセス向けのカーボンベース製品に加え、当社は最適化されたバリエーション群をご提供しています。製品寿命の延長や稼働停止時間の短縮だけでなく、結晶転位の最適化で所有コストの改善も可能です。最高の純度、精度、材料品質が結晶成長プロセス全体にわたるコストの最適化を実現します。

おもな特長:

  • 使用材料を高温クリーニング
  • ホウ素やリンの残留汚染:< 1 ppm (ppb < 200)
  • 結晶s-SiC層用CVD/CVIコーティング技術
  • 高配向パイロカーボン(PyC)蒸着用CVD/CVI技術
  • 複雑なコンポーネント配列を含む広範囲のコーティング
  • 最高の純度で最長の製品寿命
  • CFC代替材料
  • お客様の断熱ニーズに沿うスタンドアロンコンセプト
  • 坩堝は最大直径36

 

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