Однослойные материалы

Помимо различной продукции на основе углерода для метода Чохральского, мы также предоставляем ряд возможностей для оптимизации. Соответственно, стоимость владения можно снизить путем оптимизации образования дислокаций кристаллов в дополнение к увеличению срока службы и сокращению простоев. Максимальная чистота, точность и качество материалов дают возможность оптимизировать затраты на протяжении всего процесса выращивания кристаллов.

Вы по достоинству оцените целый ряд преимуществ:

• Высокотемпературная очистка используемых материалов• Остаточное загрязнение бором и фосфором < 1 части на миллион (частей на миллиард < 200)
• Технология создания покрытий методом CVD/CVI для кристаллических слоев ß-SiC
• Технология CVD/CVI для осаждения высокоориентированного пироуглерода (PyC)
• Комплексное покрытие в том числе при работе с изделиями сложной формы
• Максимальная чистота в сочетании с максимальным сроком службы
• Заменяющие материалы из CFC
• Обособленные решения для изоляции
• Диаметр тигля до 36 дюймов (91 см)