Heizerkomponenten

Für das Ziehen von Siliziumeinkristallen stellen wir neben Tiegeln auch diese Heizelemente aus Graphit her. Die Fertigung der Silizium-Wafer beginnt mit dem Ziehen eines Siliziumeinkristalls nach dem Czochralski-Verfahren. Mit einem Durchmesser von 300 mm und einer Länge von mehr als 2000 mm werden die Einkristalle in einer Kristallziehanlage aus der Siliziumschmelze gezogen. Die Schmelze befindet sich in einem CFC- oder Graphittiegel. Zum Aufheizen des Graphittiegels werden unsere CFC oder Graphit-Heizelemente eingesetzt, die mit CFC-Schrauben fixiert werden.

Nutzen Sie diese Vorteile:

• Heizelemente für das Ziehen von Siliziumeinkristallen
• Maßgeschneiderte CFC oder Graphit-Werkstoff
• Extrem temperaturbeständig
• Hohe Prozesssicherheit
• Lange Lebensdauer