ส่วนประกอบชุดทำความร้อน (Heater Component)

นอกจากเบ้าหลอม (Crucible) เรายังผลิตชุดทำความร้อน (Heating Element) เหล่านี้จากแกรไฟต์สำหรับกระบวนการเกิดผลึกซิลิคอน (Silicon Crystal Growing) อีกด้วย การผลิตแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ (Silicon Wafer) เริ่มต้นด้วยการผลิตผลึกซิลิคอนโดยใช้กระบวนการโซชาร์ลสกี้ (Czochralski Process) สำหรับผลึกเดี่ยว (Single Crystal) ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 300 มม. และมีความยาวมากกว่า 2,000 มม. นั้นจะได้จากซิลิคอนหลอมเหลวในกระบวนการเกิดผลึก (Crystal-growing) โดยที่วัสดุหลอมเหลวอยู่ในเบ้าหลอม CFC หรือแกรไฟต์ (Graphite Crucible) ซึ่งชุดทำความร้อน CFC หรือแกรไฟต์ของเราที่ยึดให้ปลอดภัยไว้ด้วยสกรู CFC นั้นใช้เพื่อให้ความร้อนแก่เบ้าหลอมแกรไฟต์ (Graphite Crucible) นั่นเอง

คุณประโยชน์ที่คุณจะได้รับจากข้อดีเหล่านี้

• ชุดทำความร้อน (Heating Element) สำหรับผลิตผลึกซิลิคอน
• วัสดุ CFC หรือแกรไฟต์ที่ผลิตตามความต้องการลูกค้า
• ต้านทานความร้อนได้สูงมาก
• กระบวนการมีความน่าเชื่อถือสูง
• อายุการใช้งานยาวนาน