Componenti riscaldanti

In aggiunta ai crogioli, produciamo questi elementi riscaldanti in grafite per la coltivazione dei cristalli di silicio. La produzione dei wafer di silicio comincia con la coltivazione di un cristallo di silicio per mezzo del processo Czochralski. Con un diametro di 300 mm e una lunghezza superiore a 2000 mm, i singoli cristalli vengono coltivati dal silicio fuso in un apposito laboratorio. Il materiale fuso si trova in un crogiolo in C/C o grafite. I nostri elementi riscaldanti in C/C o grafite, fissati da viti in C/C, vengono utilizzati per riscaldare il crogiolo in grafite.

Vantaggi principali:

• Elementi riscaldanti per la coltivazione di cristalli di silicio
• Materiale personalizzato in C/C o grafite
• Estrema resistenza termica
• Elevata affidabilità di processo
• Durata prolungata