Mono-wafer

In aggiunta ai prodotti a base di carbone legati al processo Czochralski (CZ), forniamo una gamma di versioni per l'ottimizzazione che consentono di ridurre il costo di possesso, in maniera da perfezionare la distribuzione dei cristalli nonché prolungare la durata e ridurre i tempi di fermo. Massima purezza, precisione e qualità del materiale consentono un’ottimizzazione delle spese lungo l'intero processo di coltivazione dei cristalli.

Vantaggi principali:

• Pulizia ad alta temperatura dei materiali utilizzati
• Contaminazione residua da boro e fosforo < 1 ppm (ppb < 200)
• Tecnologia di rivestimento CVD/CVI per strati cristallini ß-SiC
• Tecnologia CVD/CVI per deposito di carbone pirolitico (PyC) altamente orientato
• Rivestimento completo, compresi componenti con geometrie complesse
• Massima purezza e durata prolungata
• Materiali sostitutivi del C/C
• Soluzioni autonome per l'isolamento
• Diametro crogiolo fino a 36"