单晶炉热场

除了用于柴可拉斯基法（CZ）工艺过程的相关碳基产品以外，我们还提供各种优化产品。除了提高使用寿命和降低停产时间以外，还可以相应改善购置成本，从而优化晶体位错。最高的纯净度、精度及材料质量，能够在整个晶体生长过程中实现成本优化。 

您将受益于以下这些优势：

• 可以对使用的材料进行高温清洗
• 硼及磷残留物污染< 1 ppm（ppb < 200）
• CVD/CVI涂层技术可以用于结晶ß-SiC层
• CVD/CVI技术可以用于实现高度定向热解碳（PyC）的沉积• 全面的涂层，包括在复杂部件几何形状中的涂层
• 最高的纯净度结合最高的使用寿命
• CFC 替代材料
• 适用于您的绝缘材料的独立概念
• 尺寸最高可达36 英寸坩埚直径