Mono-Wafer

Neben den relevanten kohlenstoffbasierten Produkten für den Czochralski (CZ) Prozess liefern wir eine Bandreite an Optimierungsvarianten. Der Cost of Ownership kann entsprechend verbessert werden, so dass neben Standzeiterhöhung bzw. Downtime Reduktion ebenfalls Kristallversetzungen optimiert werden. Höchste Reinheit, Präzision und Werkstoffqualität ermöglichen Kostenoptimierungen im gesamten Kontext der Kristallzucht.

Nutzen Sie diese Vorteile:

• Hochtemperatur-Reinigung der eingesetzten Werkstoffe
• Bor- und Phosphor-Restverunreinigung < 1 ppm (ppb < 200)
• CVD/CVI-Beschichtungstechnologie für kristalline ß-SiC-Schichten
• CVD/CVI-Technologie für die Abscheidung von hochorientiertem PyroCarbon (PyC)
• Umfassende Beschichtung in komplexen Bauteilen
• Höchste Reinheit gepaart mit höchster Standzeit
• Substitutionswerkstoffe aus CFC
• Stand-Alone Konzeptionen für Ihre Isolation
• Abmessungen bis 36" Tiegeldurchmesser möglich